研究者検索結果一覧 富田 基裕 富田 基裕トミタ モトヒロ (Motohiro Tomita) ダウンロードする帳票の形式を下記より選択して下さい 「教育研究等環境」形式 「文科省帳票様式第4号 ①履歴書」形式 「文科省帳票様式第4号 ②教育研究業績書」形式 基本情報 所属成蹊大学 理工学部 理工学科 助教学位博士(工学)(2015年3月 明治大学)連絡先motohiro-tomitast.seikei.ac.jp研究者番号90770248ORCID ID https://orcid.org/0000-0001-6524-8152J-GLOBAL ID201801003637058123Researcher IDAAR-2060-2021researchmap会員IDB000337343 主要な研究キーワード 16 電力潮流解析 個人間電力取引 プラズマ 分子動力学法 熱伝導 もっとみる 主要な研究分野 3 ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電力工学 / 個人間電力取引 エネルギー / プラズマ応用科学 / 大気圧低温プラズマ ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学 / 半導体材料 もっとみる 経歴 8 2022年9月 - 現在 成蹊大学 理工学部 理工学科 助教 2021年9月 - 2022年8月 早稲田大学 理工学術院 講師(任期付) 2021年4月 - 2021年8月 早稲田大学 総合研究機構 次席研究員 2019年4月 - 2021年3月 早稲田大学 重点領域研究機構 次席研究員 2018年4月 - 2019年3月 早稲田大学 ナノ・ライフ創新研究機構 次席研究員 もっとみる 学歴 4 2012年4月 - 2015年3月 明治大学 理工学研究科 電気工学専攻博士後期課程 2010年4月 - 2012年3月 明治大学 理工学研究科 電気工学専攻博士前期課程 2006年4月 - 2010年3月 明治大学 理工学部 電気電子工学科 2003年4月 - 2006年3月 東京都立武蔵野北高校 主要な受賞 1 2021年7月 優秀ポスター賞 分子動力学法を用いたSiGe中の低エネルギーフォノンモードの変位解析 フォノンエンジニアリング研究会 富田基裕 もっとみる 論文 52 原子スケールで平坦なSiO2/Si酸化膜界面歪の評価 服部真季, 小瀬村大亮, 武井宗久, 永田晃基, 赤松弘彬, 富田基裕, 水上雄輝, 橋口裕樹, 山口拓也, 小椋厚志, 諏訪智之, 寺本章伸, 服部健雄, 大見忠弘, 小金澤智之 電子情報通信学会技術研究報告 110(241) 71-75 2010年10月 先端LSIにおけるチャネル歪評価 小椋厚志, 小瀬村大亮, 武井宗久, 富田基裕 電子情報通信学会技術研究報告 110(241) 1-6 2010年10月 «12 MISC 7 分子動力学法を用いたIV‐IV族結晶(SiGe,GeSn,SiSn)の熱伝導率評価 小笠原成崇, 寺田拓也, 富田基裕, 富田基裕, 渡邉孝信 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th ROMBUNNO.7p‐PA10‐3 2017年8月25日 分子動力学法を用いたGeSiSn三元混晶内のフォノン物性予測と評価 富田基裕, 富田基裕, 小笠原成崇, 渡邉孝信 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th ROMBUNNO.6a‐C22‐3 2017年8月25日 分子動力学法を用いた2元系Ⅳ-Ⅳ族混晶半導体のフォノン物性の再現と予測 (シリコン材料・デバイス) 富田 基裕, 小椋 厚志, 渡邉 孝信 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(472) 61-66 2017年2月24日 薄膜化したシリカ/エポキシ樹脂ナノコンポジット材料のナノスケール絶縁耐性評価 (誘電・絶縁材料研究会・空間電荷・コンポジット) 大西 拓弥, 小花 絃暉, 橋本 修一郎, 富田 基裕, 渡邉 孝信, 武良 光太郎, 津田 敏宏, 吉満 哲夫 電気学会研究会資料. DEI 2016(92) 17-22 2016年12月19日 液浸ラマン分光法による選択的イオン注入により作製された一軸歪SiGe/Siの異方性2軸応力評価 山本章太郎, 小瀬村大亮, 富田基裕, 富田基裕, 武内一真, 横川凌, 米倉瑛介, 澤野憲太郎, 野平博司, 小椋厚志 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th 2014年 もっとみる 書籍等出版物 1 Advanced Aspects of Spectroscopy D. Kosemura, M. Tomita, K. Usuda, A. Ogura (担当:共著, 範囲:Stress Measurements in Si and SiGe by Liquid-Immersion Raman Spectroscopy) InTech 2012年8月 (ISBN: 9789535107156) 主要な講演・口頭発表等 211 近距離取引優先マッチング方式が個人間電力取引の配電系統に与える影響 富田基裕, 高橋光騎, 瀬戸寿之, 若杉健一, 村上朝之 令和5年電気学会全国大会 2023年3月17日 個人間電力取引エージェントシミュレーションにおける太陽光発電予測の重要性 高橋光騎, 富田基裕, 瀬戸寿之, 若杉健一, 村上朝之 令和5年電気学会全国大会 2023年3月17日 ペルチェ効果とジュール発熱を含む等価回路モデルによる微小熱電変換デバイスの性能解析 富田 基裕, 保科 拓海, 鎌倉 良成, 松木 武雄, 渡邉 孝信 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 High Power Density Silicon Thermoelectric Generator - Optimum Design Toward Large-scale Integration - M. Tomita, K. Oda, T. Matsukawa, T. Matsuki, T. Watanabe International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 2019年11月 招待有り プレーナ型Siナノワイヤを用いた高集積熱電発電素子の開発 富田基裕, 織田海斗, 松川貴, 松木武雄, 渡邉孝信 日本表面真空学会「微小エネルギーの観測と制御」摩擦の科学研究部会シンポジウム 2019年10月 招待有り Evaluation of Multi-stage, Unileg, Si-nanowire Thermoelectric Generator with A Cavity-free and Planar Device Architecture M. Tomita, H. Takezawa, K. Mesaki, T. Matsukawa, T. Matsuki, T. Watanabe 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials 2019年9月 Optimum Thermal Design of Substrate for Realizing High Performance Cavity-free Planar Si Nanowire Micro-thermoelectric Generator M. Tomita, T. Matsukawa, T. Matsuki, T. Watanabe The 38th International Conference on Thermoelectrics 2019年7月 温度差5℃で動作するSiマイクロ熱電発電素子の開発 富田基裕 熱電発電の技術/研究開発と応用・適用動向 2018年12月 招待有り Evaluating the Relationship between Phonon and Thermal Properties of Group IV Alloys Using Molecular Dynamics Simulation M. Tomita, M. Ogasawara, T. Terada, T. Watanabe 2018 Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science 2018年10月 CMOS-VLSI技術を応用した10μW/cm2級プレーナ型Siナノワイヤ熱電発電デバイスの開発 富田基裕 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第210回研究集会「先端CMOSデバイス・プロセス特集」 2018年8月 招待有り 10μW/cm2-Class High Power Density Silicon Thermoelectric Energy Harvester Compatible with CMOS-VLSI Technology M. Tomita, S. Ohba, Y. Himeda, R. Yamato, K. Shima, T. Kumada, M. Xu, H. Takezawa, K. Mesaki, K. Tsuda, S. Hashimoto, T. Zhan, H. Zhang, Y. Kamakura, Y. Suzuki, H. Inokawa, H. Ikeda, T. Matsukawa, T. Matsuki, T. Watanabe 2018 Symposium on VLSI Technology 2018年6月 分子動力学シミュレーションによるIV族混晶のフォノン物性の起源の調査 富田基裕, 小笠原成崇, 渡邉孝信 第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月 分子動力学法を用いた2元系IV-IV族混晶半導体の格子-フォノン物性の予測と評価 富田基裕, 小笠原成崇, 寺田拓哉, 渡邉孝信 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第23回研究会) 2018年1月 分子動力学計算によるⅣ族混晶系の熱伝導シミュレーション 富田基裕 電気学会ナノエレクトロニクス新機能創出・集積化技術専門員会「半導体シミュレーション技術」 2017年11月 招待有り Development of Interatomic Potential of Ge(1-x-y)SixSny Ternary Alloy Semiconductors for Classical Lattice Dynamics Simulation M. Tomita, T. Watanabe 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials 2017年9月 分子動力学法を用いたGeSiSn三元混晶内のフォノン物性予測と評価 富田基裕, 小笠原成崇, 渡邉孝信 第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月 Development and Verification of Interatomic Potential of Group IV Binary Alloy Semiconductors for Lattice Dynamics Simulation M. Tomita, A. Ogura, T. Watanabe 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials 2016年11月 Development of Interatomic Potential of Group IV Alloy Semiconductors for Lattice Dynamics Simulation M. Tomita, A. Ogura, T. Watanabe Pacific Rim Meeting 2016 / 230th Electrochemical Society Meeting 2016年10月 Evaluation of Stress Relaxation in Strained SiGe Wire by Two-dimensional Super-resolution Raman Spectroscopy M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, A. Ogura 24th International Conference on Raman Spectroscopy 2014年8月 Evaluation of Crystallinity Profile in Thin Poly-Si Layer by Raman Spectroscopy M. Tomita, H. Yasukawa, N. Sawamoto, D. Kosemura, H. Yamazaki, M. Tomita, K. Usuda, A. Ogura 24th International Conference on Raman Spectroscopy 2014年8月 Tensor Evaluation of Stress Relaxation Profile in Strained SiGe Nanostructures on Si Substrate M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, A. Ogura 223rd ECS Meeting 2013年5月14日 Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped Strained Si Layer by Super-resolution Raman Spectroscopy and FEM Simulation M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, A. Ogura 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials 2012年11月 Tensor Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped SiGe Layer on Si Substrate by EBSP M. Tomita, M. Nagasaka, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, A. Ogura 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials 2012年9月 Evaluation of Stress Relaxation in Mesa-shaped Strained Si Layer by Super-resolution Raman Spectroscopy M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, A. Ogura 23rd International Conference on Raman Spectroscopy 2012年8月 Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped Strained Si Layers by FEM Simulation M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, A. Ogura International Conference on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics 2012年3月 Strain and stress tensor evaluation in global and local strained-Si by electron back scattering pattern M. Tomita, D. Kosemura, M. Takei, K. Nagata, H. Akamatsu, A. Ogura 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials 2010年9月 Evaluation of Strained Silicon by electron back scattering pattern compared with Raman measurement and edge force model calculation M. Tomita, D. Kosemura, M. Takei, K. Nagata, H. Akamatsu, A. Ogura International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics 2010年6月 もっとみる 主要な担当経験のある科目(授業) 13 2022年 - 2023年 パワーエレクトロニクス (成蹊大学) 2017年 - 2020年 Computational Experiments (Waseda University) もっとみる 所属学協会 3 2023年1月 - 現在 電気学会 2018年8月 - 現在 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 2010年1月 - 現在 応用物理学会 共同研究・競争的資金等の研究課題 5 Si/SiO2界面状態の制御による熱伝導率変調技術の開発 日本学術振興会 科学研究費助成事業 若手研究 2020年4月 - 2022年3月 富田 基裕 プレーナ型スケーラブル熱電発電機構の実証と展開 科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業 CREST 2019年4月 - 2022年3月 渡邉 孝信, 鎌倉 良成, 藤ヶ谷 剛彦, 黒澤 昌志 計算フォノニクスを駆使したオン・シリコン熱電デバイスの開発 科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業 CREST 2015年12月 - 2019年3月 渡邉 孝信, 鎌倉 良成, 池田 浩也 分子動力学法を用いた歪IV-IV族混晶半導体のPDP導出に関する研究 日本学術振興会 科学研究費助成事業 特別研究員奨励費 2015年4月 - 2018年3月 富田 基裕 超解像偏光ラマン分光法と有限要素解析を用いたSi結晶中の歪テンソル評価に関する研究 日本学術振興会 科学研究費助成事業 特別研究員奨励費 2012年4月 - 2015年3月 富田 基裕 学術貢献活動 5 Structural, electronic, phonon, and elastic properties of zigzag single-walled and double-walled boron nitride nanotubes 査読 Molecular Crystals and Liquid Crystals 2024年3月 Length dependent thermal conductivity of silicon and copper nanowire: A molecular dynamics study 査読 Molecular Crystals and Liquid Crystals 2022年11月 - 2022年12月 42nd International Symposium on Dry Process (DPS2021) 企画立案・運営等 応用物理学会 2020年1月 - 2021年11月19日 2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (IWDTF2019) 企画立案・運営等 応用物理学会, 応物 薄膜・表面物理分科会 2018年11月 - 2019年11月20日 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials 企画立案・運営等 2013年10月 - 2013年11月 メディア報道 3 親構造「わずかな温度差利用」マイクロ熱電発電素子 週刊科学新聞 週刊科学新聞 2018年8月 新聞・雑誌 大気中のわずかな温度差で発電 早大など、小型素子開発 日刊工業新聞 日刊工業新聞 https://www.nikkan.co.jp/articles/view/00477866 2018年6月 新聞・雑誌 体温・大気間のわずかな温度差で発電する新方式マイクロ熱電発電素子を発明 早稲田大学 早稲田大学プレスリリース https://www.waseda.jp/top/news/59829 2018年6月 インターネットメディア
富田 基裕トミタ モトヒロ (Motohiro Tomita) ダウンロードする帳票の形式を下記より選択して下さい 「教育研究等環境」形式 「文科省帳票様式第4号 ①履歴書」形式 「文科省帳票様式第4号 ②教育研究業績書」形式 基本情報 所属成蹊大学 理工学部 理工学科 助教学位博士(工学)(2015年3月 明治大学)連絡先motohiro-tomitast.seikei.ac.jp研究者番号90770248ORCID ID https://orcid.org/0000-0001-6524-8152J-GLOBAL ID201801003637058123Researcher IDAAR-2060-2021researchmap会員IDB000337343 主要な研究キーワード 16 電力潮流解析 個人間電力取引 プラズマ 分子動力学法 熱伝導 もっとみる 主要な研究分野 3 ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電力工学 / 個人間電力取引 エネルギー / プラズマ応用科学 / 大気圧低温プラズマ ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学 / 半導体材料 もっとみる 経歴 8 2022年9月 - 現在 成蹊大学 理工学部 理工学科 助教 2021年9月 - 2022年8月 早稲田大学 理工学術院 講師(任期付) 2021年4月 - 2021年8月 早稲田大学 総合研究機構 次席研究員 2019年4月 - 2021年3月 早稲田大学 重点領域研究機構 次席研究員 2018年4月 - 2019年3月 早稲田大学 ナノ・ライフ創新研究機構 次席研究員 もっとみる 学歴 4 2012年4月 - 2015年3月 明治大学 理工学研究科 電気工学専攻博士後期課程 2010年4月 - 2012年3月 明治大学 理工学研究科 電気工学専攻博士前期課程 2006年4月 - 2010年3月 明治大学 理工学部 電気電子工学科 2003年4月 - 2006年3月 東京都立武蔵野北高校 主要な受賞 1 2021年7月 優秀ポスター賞 分子動力学法を用いたSiGe中の低エネルギーフォノンモードの変位解析 フォノンエンジニアリング研究会 富田基裕 もっとみる 論文 52 原子スケールで平坦なSiO2/Si酸化膜界面歪の評価 服部真季, 小瀬村大亮, 武井宗久, 永田晃基, 赤松弘彬, 富田基裕, 水上雄輝, 橋口裕樹, 山口拓也, 小椋厚志, 諏訪智之, 寺本章伸, 服部健雄, 大見忠弘, 小金澤智之 電子情報通信学会技術研究報告 110(241) 71-75 2010年10月 先端LSIにおけるチャネル歪評価 小椋厚志, 小瀬村大亮, 武井宗久, 富田基裕 電子情報通信学会技術研究報告 110(241) 1-6 2010年10月 «12 MISC 7 分子動力学法を用いたIV‐IV族結晶(SiGe,GeSn,SiSn)の熱伝導率評価 小笠原成崇, 寺田拓也, 富田基裕, 富田基裕, 渡邉孝信 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th ROMBUNNO.7p‐PA10‐3 2017年8月25日 分子動力学法を用いたGeSiSn三元混晶内のフォノン物性予測と評価 富田基裕, 富田基裕, 小笠原成崇, 渡邉孝信 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th ROMBUNNO.6a‐C22‐3 2017年8月25日 分子動力学法を用いた2元系Ⅳ-Ⅳ族混晶半導体のフォノン物性の再現と予測 (シリコン材料・デバイス) 富田 基裕, 小椋 厚志, 渡邉 孝信 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(472) 61-66 2017年2月24日 薄膜化したシリカ/エポキシ樹脂ナノコンポジット材料のナノスケール絶縁耐性評価 (誘電・絶縁材料研究会・空間電荷・コンポジット) 大西 拓弥, 小花 絃暉, 橋本 修一郎, 富田 基裕, 渡邉 孝信, 武良 光太郎, 津田 敏宏, 吉満 哲夫 電気学会研究会資料. DEI 2016(92) 17-22 2016年12月19日 液浸ラマン分光法による選択的イオン注入により作製された一軸歪SiGe/Siの異方性2軸応力評価 山本章太郎, 小瀬村大亮, 富田基裕, 富田基裕, 武内一真, 横川凌, 米倉瑛介, 澤野憲太郎, 野平博司, 小椋厚志 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th 2014年 もっとみる 書籍等出版物 1 Advanced Aspects of Spectroscopy D. Kosemura, M. Tomita, K. Usuda, A. Ogura (担当:共著, 範囲:Stress Measurements in Si and SiGe by Liquid-Immersion Raman Spectroscopy) InTech 2012年8月 (ISBN: 9789535107156) 主要な講演・口頭発表等 211 近距離取引優先マッチング方式が個人間電力取引の配電系統に与える影響 富田基裕, 高橋光騎, 瀬戸寿之, 若杉健一, 村上朝之 令和5年電気学会全国大会 2023年3月17日 個人間電力取引エージェントシミュレーションにおける太陽光発電予測の重要性 高橋光騎, 富田基裕, 瀬戸寿之, 若杉健一, 村上朝之 令和5年電気学会全国大会 2023年3月17日 ペルチェ効果とジュール発熱を含む等価回路モデルによる微小熱電変換デバイスの性能解析 富田 基裕, 保科 拓海, 鎌倉 良成, 松木 武雄, 渡邉 孝信 第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日 High Power Density Silicon Thermoelectric Generator - Optimum Design Toward Large-scale Integration - M. Tomita, K. Oda, T. Matsukawa, T. Matsuki, T. Watanabe International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 2019年11月 招待有り プレーナ型Siナノワイヤを用いた高集積熱電発電素子の開発 富田基裕, 織田海斗, 松川貴, 松木武雄, 渡邉孝信 日本表面真空学会「微小エネルギーの観測と制御」摩擦の科学研究部会シンポジウム 2019年10月 招待有り Evaluation of Multi-stage, Unileg, Si-nanowire Thermoelectric Generator with A Cavity-free and Planar Device Architecture M. Tomita, H. Takezawa, K. Mesaki, T. Matsukawa, T. Matsuki, T. Watanabe 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials 2019年9月 Optimum Thermal Design of Substrate for Realizing High Performance Cavity-free Planar Si Nanowire Micro-thermoelectric Generator M. Tomita, T. Matsukawa, T. Matsuki, T. Watanabe The 38th International Conference on Thermoelectrics 2019年7月 温度差5℃で動作するSiマイクロ熱電発電素子の開発 富田基裕 熱電発電の技術/研究開発と応用・適用動向 2018年12月 招待有り Evaluating the Relationship between Phonon and Thermal Properties of Group IV Alloys Using Molecular Dynamics Simulation M. Tomita, M. Ogasawara, T. Terada, T. Watanabe 2018 Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science 2018年10月 CMOS-VLSI技術を応用した10μW/cm2級プレーナ型Siナノワイヤ熱電発電デバイスの開発 富田基裕 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第210回研究集会「先端CMOSデバイス・プロセス特集」 2018年8月 招待有り 10μW/cm2-Class High Power Density Silicon Thermoelectric Energy Harvester Compatible with CMOS-VLSI Technology M. Tomita, S. Ohba, Y. Himeda, R. Yamato, K. Shima, T. Kumada, M. Xu, H. Takezawa, K. Mesaki, K. Tsuda, S. Hashimoto, T. Zhan, H. Zhang, Y. Kamakura, Y. Suzuki, H. Inokawa, H. Ikeda, T. Matsukawa, T. Matsuki, T. Watanabe 2018 Symposium on VLSI Technology 2018年6月 分子動力学シミュレーションによるIV族混晶のフォノン物性の起源の調査 富田基裕, 小笠原成崇, 渡邉孝信 第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月 分子動力学法を用いた2元系IV-IV族混晶半導体の格子-フォノン物性の予測と評価 富田基裕, 小笠原成崇, 寺田拓哉, 渡邉孝信 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第23回研究会) 2018年1月 分子動力学計算によるⅣ族混晶系の熱伝導シミュレーション 富田基裕 電気学会ナノエレクトロニクス新機能創出・集積化技術専門員会「半導体シミュレーション技術」 2017年11月 招待有り Development of Interatomic Potential of Ge(1-x-y)SixSny Ternary Alloy Semiconductors for Classical Lattice Dynamics Simulation M. Tomita, T. Watanabe 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials 2017年9月 分子動力学法を用いたGeSiSn三元混晶内のフォノン物性予測と評価 富田基裕, 小笠原成崇, 渡邉孝信 第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月 Development and Verification of Interatomic Potential of Group IV Binary Alloy Semiconductors for Lattice Dynamics Simulation M. Tomita, A. Ogura, T. Watanabe 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials 2016年11月 Development of Interatomic Potential of Group IV Alloy Semiconductors for Lattice Dynamics Simulation M. Tomita, A. Ogura, T. Watanabe Pacific Rim Meeting 2016 / 230th Electrochemical Society Meeting 2016年10月 Evaluation of Stress Relaxation in Strained SiGe Wire by Two-dimensional Super-resolution Raman Spectroscopy M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, A. Ogura 24th International Conference on Raman Spectroscopy 2014年8月 Evaluation of Crystallinity Profile in Thin Poly-Si Layer by Raman Spectroscopy M. Tomita, H. Yasukawa, N. Sawamoto, D. Kosemura, H. Yamazaki, M. Tomita, K. Usuda, A. Ogura 24th International Conference on Raman Spectroscopy 2014年8月 Tensor Evaluation of Stress Relaxation Profile in Strained SiGe Nanostructures on Si Substrate M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, A. Ogura 223rd ECS Meeting 2013年5月14日 Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped Strained Si Layer by Super-resolution Raman Spectroscopy and FEM Simulation M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, A. Ogura 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials 2012年11月 Tensor Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped SiGe Layer on Si Substrate by EBSP M. Tomita, M. Nagasaka, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, A. Ogura 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials 2012年9月 Evaluation of Stress Relaxation in Mesa-shaped Strained Si Layer by Super-resolution Raman Spectroscopy M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, A. Ogura 23rd International Conference on Raman Spectroscopy 2012年8月 Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped Strained Si Layers by FEM Simulation M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, T. Tezuka, A. Ogura International Conference on Development of Core Technologies for Green Nanoelectronics 2012年3月 Strain and stress tensor evaluation in global and local strained-Si by electron back scattering pattern M. Tomita, D. Kosemura, M. Takei, K. Nagata, H. Akamatsu, A. Ogura 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials 2010年9月 Evaluation of Strained Silicon by electron back scattering pattern compared with Raman measurement and edge force model calculation M. Tomita, D. Kosemura, M. Takei, K. Nagata, H. Akamatsu, A. Ogura International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics 2010年6月 もっとみる 主要な担当経験のある科目(授業) 13 2022年 - 2023年 パワーエレクトロニクス (成蹊大学) 2017年 - 2020年 Computational Experiments (Waseda University) もっとみる 所属学協会 3 2023年1月 - 現在 電気学会 2018年8月 - 現在 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 2010年1月 - 現在 応用物理学会 共同研究・競争的資金等の研究課題 5 Si/SiO2界面状態の制御による熱伝導率変調技術の開発 日本学術振興会 科学研究費助成事業 若手研究 2020年4月 - 2022年3月 富田 基裕 プレーナ型スケーラブル熱電発電機構の実証と展開 科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業 CREST 2019年4月 - 2022年3月 渡邉 孝信, 鎌倉 良成, 藤ヶ谷 剛彦, 黒澤 昌志 計算フォノニクスを駆使したオン・シリコン熱電デバイスの開発 科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業 CREST 2015年12月 - 2019年3月 渡邉 孝信, 鎌倉 良成, 池田 浩也 分子動力学法を用いた歪IV-IV族混晶半導体のPDP導出に関する研究 日本学術振興会 科学研究費助成事業 特別研究員奨励費 2015年4月 - 2018年3月 富田 基裕 超解像偏光ラマン分光法と有限要素解析を用いたSi結晶中の歪テンソル評価に関する研究 日本学術振興会 科学研究費助成事業 特別研究員奨励費 2012年4月 - 2015年3月 富田 基裕 学術貢献活動 5 Structural, electronic, phonon, and elastic properties of zigzag single-walled and double-walled boron nitride nanotubes 査読 Molecular Crystals and Liquid Crystals 2024年3月 Length dependent thermal conductivity of silicon and copper nanowire: A molecular dynamics study 査読 Molecular Crystals and Liquid Crystals 2022年11月 - 2022年12月 42nd International Symposium on Dry Process (DPS2021) 企画立案・運営等 応用物理学会 2020年1月 - 2021年11月19日 2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (IWDTF2019) 企画立案・運営等 応用物理学会, 応物 薄膜・表面物理分科会 2018年11月 - 2019年11月20日 6th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials 企画立案・運営等 2013年10月 - 2013年11月 メディア報道 3 親構造「わずかな温度差利用」マイクロ熱電発電素子 週刊科学新聞 週刊科学新聞 2018年8月 新聞・雑誌 大気中のわずかな温度差で発電 早大など、小型素子開発 日刊工業新聞 日刊工業新聞 https://www.nikkan.co.jp/articles/view/00477866 2018年6月 新聞・雑誌 体温・大気間のわずかな温度差で発電する新方式マイクロ熱電発電素子を発明 早稲田大学 早稲田大学プレスリリース https://www.waseda.jp/top/news/59829 2018年6月 インターネットメディア
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