堀田 育志, 松井 英章, Joseph Mathew, 田畑 仁, 川合 知二
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98(593) 33-38 1999年2月16日
不揮発性メモリ等への応用を含め、酸化物の強誘電体薄膜の研究が活発に行われている。理想的な構造 MFS-FET構造を得るためには、酸化物強誘電体薄膜を化学反応活性なSi素子上へ直接形成する必要がある。しかし酸化物を直接成膜した場合、界面にSiO_xが形成するという深刻な問題が避けられない。この問題を解決する方法として、非酸化物系のカルコゲナイド (II-VI族半導体)薄膜をSi基板上へ作製し、強誘電性を示すことを明らかにした。(Zn,Cd)Se、(Zn,Cd)TeおよびLiドープZnO薄膜に於いて、各々0.25V, 0.2V, 0.18Vのメモリウィンドウ特性を得た。