研究者業績

井上 尚三

イノウエ シヨウゾウ  (Shozo Inoue)

基本情報

所属
兵庫県立大学 大学院 工学研究科 教授
学位
工学博士(大阪大学)

J-GLOBAL ID
200901074234127570
researchmap会員ID
1000057685

研究キーワード

 2

経歴

 6

論文

 194

MISC

 76
  • 永井晋平, 村上大志, 多田あずみ, 井上尚三
    2024年度精密工学会春季大会学術講演会講演論文集 672-673 2024年3月  最終著者
  • 岡田響, 森川直人, 部家彰, 井上尚三
    2023年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集 668-669 2023年9月  最終著者
  • 井上達裕, 朝田昂大, 井上尚三
    2023年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集 664-665 2023年9月  最終著者
  • 藤井 達也, 伊奈 銀之介, 井上 尚三, 生津 資大
    M&M材料力学カンファレンス 2015 "OS1420-430-1"-"OS1420-430-2" 2015年11月21日  
    This paper reports on two types of fabrication methods for Si nanowires (NWs) using focused ion beam (FIB), photolithography, TMAH anisotropic wet-etching, and sacrificial oxidation. Type A specimens made from silicon-on-nothing (SON) membranes are produced by FIB system's probe manipulation and film deposition functions. The mean Young's modulus of FIB-fabricated NWs evaluated by tensile testing in SEM using electrostatic actuated MEMS device is 129 GPa. After vacuum annealing, the Young's modulus is increased to 168 GPa. Type B specimens are produced by wire-thinning technique using sacrificial oxidation and oxide film removal. We succeeded in making freestanding bridge Si NW with the width of 76 nm.
  • 小関 貴裕, 藤井 達也, 井上 尚三, 生津 資大
    M&M材料力学カンファレンス 2015 "OS1419-420-1"-"OS1419-420-2" 2015年11月21日  
    Focused ion beam (FIB) is one of strong nanofabrication tools for Si and its related devices. In this study, To produce ultra-fine Si nanowires less than 50nm, we propose a new nanostructure fabrication technique using FIB and anisotropic etching. Si nanowires of several tens of nm could be formed, and it was found that the nanowires consisted of Ga ion doped amorphous Si. Uniaxial tensile test of the nanowires was performed to directly measure the Young's modulus and fracture strength.

担当経験のある科目(授業)

 3

共同研究・競争的資金等の研究課題

 15