草壁 史, 丸山 裕樹, 部家 彰, 松尾 直人, 神田 一浩, 望月 孝晏, 伊藤 和博, 高橋 誠
電子情報通信学会技術研究報告 IEICE-113(351) 61-66 2013年12月
a-Ge, a-SiGe腹の軟X線照射結晶化における照射光子エネルギー依存性を検討した。Ge腹において蓄積リング電流値75mA、照射光子エネルギー100evにて、試料温度が380℃で結晶化が見られたが、130eVでは100eVの条件より試料温度が高い410℃にもかかわらず結晶化が見られなかった。このことから結晶化は温度効果よりも照射光子エネルギーに依存すると考えられる。また、軟X線照射により結晶化したSiGe濃度傾斜多層膜を透過型電子顕微鏡(TEM)により観察した。層界面では結晶格子が連なっており、軟X線照射結晶化では眉間に結晶方位関係を有する結晶成長が実現できることが明らかとなった。