野地 紘史, 堀 正和, 澁谷 賢広, 磯野 晃輔, 小林 雄太, 山田 三男, 石崎 俊男, 古田 重樹, 森口 幸男, 河合 正, 西川 健二郎, 加藤 隆二, 山本 善一, 川崎 繁男
電子情報通信学会技術研究報告. SANE, 宇宙・航行エレクトロニクス 111(7) 13-17 2011年4月14日
2.1GHzにおいて200W級出力可能なGaN・HPA(High Power Amplifier)ユニットを試作した.4つのSSPA(Solid State Power Amplifier)ユニットの出力を円筒形導波管コンバイナーで合成し、540W出力を達成した.1ユニット内の合成では、2個のGaN HEMTアンプを並列接続し、ペルチェ冷却装置と組み合わせて、冷却器付単体ユニットとして最大200W出力を実現することができた.動作点をAB級とし、小型ペルチェ冷却器を用いることで周辺回路温度を約40度以下に保ち、電力変換効率50%以上を実現した.さらに、電力合成に用いた円筒型導波管電力合成器の合成効率は約80%を得た.