中野武雄

ナカノタケオ (Takeo Nakano)

基本情報

所属: 成蹊大学理工学部理工学科教授

学位: 博士（工学）(東京大学)

研究者番号: 40237342
J-GLOBAL ID: 200901048314885741
researchmap会員ID: 1000091733

外部リンク: http://surf.ml.seikei.ac.jp/~nakano/

スパッタリング法を中心にした薄膜作製法、および薄膜の評価法について実験的な研究を行っています。

研究キーワード

研究分野

学歴

1989年4月 - 1991年3月

東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
1985年4月 - 1989年3月

東京大学工学部物理工学科

委員歴

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受賞

2015年12月

第56回真空に関する連合講演会優秀ポスター賞反応性スパッタにおけるモード遷移挙動の普遍性日本真空学会

木村光佑, 竹内将人, 飯嶋佑斗, 長尾昌善, 大崎壽, 中野武雄
2013年

部会賞日本真空学会スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会

中野武雄
1998年

第5回(1998年秋季)応用物理学会講演奨励賞

論文

Linear Relationship between Reactive Gas Flow Rate and Target Power at Mode Transitions in Reactive Sputtering

Takeo Nakano, Kosuke Kimura, Yuto Iijima, Masato Takeuchi, Kei Oya, Masayoshi Nagao, Hisashi Ohsaki

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 2024年4月4日査読有り筆頭著者責任著者
Improvement of the uniformity of structural and electrical properties of transparent conductive Al-doped ZnO thin films by inductively coupled plasma-assisted radio frequency magnetron sputtering

Md. Suruz Mian, Takeo Nakano, Kunio Okimura

Thin Solid Films 769 139752-139752 2023年3月査読有り
Coloring and Bleaching Properties of 500–1000 nm‐Thick Electrochromic Tungsten Oxide Films Deposited by Reactive Direct Current Magnetron Sputtering

Md. Suruz Mian, Riko Yagi, Kei Oya, Takeo Nakano

physica status solidi (a) 2100646-2100646 2021年12月23日査読有り
ジメチルスルフィド分解用 NiO/γ-Al₂O₃ 触媒の活性サイトの局所構造解析—X線吸収分光分析を用いたNi種の硫化挙動—

霜田直宏, 小出奈央, 本間徹生, 中野武雄, 張晋, 脇田英延, 里川重夫

63(6) 365-374 2020年11月1日査読有り
Different morphologies of human embryonic kidney 293T cells in various types of culture dishes.

Katsuya Iuchi, Kei Oya, Kazuki Hosoya, Kazuki Sasaki, Yuko Sakurada, Takeo Nakano, Hisashi Hisatomi

Cytotechnology 72(1) 131-140 2020年2月査読有り

Human embryonic kidney 293T (HEK293T) cells are used in various biological experiments and researches. In this study, we investigated the effect of cell culture environments on morphological and functional properties of HEK293T cells. We used several kinds of dishes made of polystyrene or glass for cell culture, including three types of polystyrene dishes provided from different manufacturers for suspension and adherent cell culture. In addition, we also investigated the effect of culturing on gelatin-coated surfaces on the cell morphology. We found that HEK293T cells aggregated and formed into three-dimensional (3-D) multicellular spheroids (MCS) when non-coated polystyrene dishes were used for suspension culture. In particular, the non-coated polystyrene dish from Sumitomo bakelite is the most remarkable characteristic for 3-D MCS among the polystyrene dishes. On the other hand, HEK293T cells hardly aggregated and formed 3-D MCS on gelatin-coated polystyrene dishes for suspension culture. HEK293T cells adhered on the non- or gelatin-coated polystyrene dish for adherent culture, but they did not form 3-D MCS. HEK293T cells also adhered to non- or gelatin-coated glass dishes and did not form 3-D MCS in serum-free medium. These results suggest that HEK293T cells cultured on non-coated polystyrene dish may be useful for the tool to analyze the characteristics of 3D-MCS.

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MISC

第9回真空・表面科学アジア・オーストラリア会議（VASSCAA-9），およびVASSCAA国際運営委員会とIUVSTA理事会の報告

中野武雄, 小森文夫, 福谷克之, 谷本育律

表面と真空 62(1) 48-50 2019年1月10日
大電力パルススパッタ法によるスピント型陰極作製における放電ガス(アルゴン、クリプトン)の効果

谷口日向, 大家渓, 中野武雄, 長尾昌善, 大崎壽, 村上勝久

電子情報通信学会技術研究報告 118(263) 5-8 2018年10月
日本真空学会スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会第155回定例研究会「固体材料および薄膜中のプロトンの移動」開催報告

中野武雄

表面と真空 61(2) 102-102 2018年
大電力パルススパッタリングを用いた金属膜の構造制御 (特集薄膜成長の最前線)

中野武雄

表面科学 = Journal of the Surface Science Society of Japan 38(5) 228-233 2017年5月
大電力パルススパッタリングを用いた金属膜の構造制御

中野武雄

表面科学 38(5) 223-228 2017年5月査読有り招待有り

High power pulsed magnetron sputtering (HPPMS) is a variant of sputtering deposition method in that pulsed power is applied to the sputtering target with low repetition frequency and small duty ratio. It produces high density plasma intermittently which enables the ionization of sputtered atoms and the control of their energy and direction by introducing potential difference between the plasma and the substrate. We have proposed two HPPMS techniques which can control the plasma potential. One is to modify the target voltage waveform where the positive voltage is applied during the “pulse-off” period. The other is to use the triode configuration in which a positively-biased electrode is added. Positive plasma potential could be confirmed experimentally, and dense film structures and smooth surfaces could be obtained by these methods. It suggested that the ionized atoms impinged on the growing film surface with accelerated kinetic energy.

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書籍等出版物

真空科学ハンドブック

日本真空学会 (担当:共編者(共編著者), 範囲:6.1 薄膜作製)

コロナ社 2018年3月 (ISBN: 9784339009088)

真空の基礎科学から作成・計測・保持する技術に関わる科学的基礎を解説。また，成膜，プラズマプロセスなどの応用分野で真空環境の役割を説き，極高真空などのこれまでにない真空環境が要求される研究・応用への取組みなどを紹介。
ドライプロセスによる表面処理・薄膜形成の基礎

表面技術協会 (担当:共著)

コロナ社 2013年5月 (ISBN: 9784339046311)

本書では，まずドライプロセスの歴史的発展過程にふれ，次にこれを支える基盤技術である「真空」「プラズマ」を解説。さらに，代表的なドライプロセスを取り上げ，どのような原理・原則に基づいているか，薄膜・表面評価分析技術について解説。
ロールtoロール技術の最新動向

(担当:共著)

シーエムシー出版 2011年3月 (ISBN: 9784781303215)
スパッタ実務［Ｑ＆Ａ集］

(担当:編者(編著者))

技術情報協会 2009年1月 (ISBN: 9784861042768)
薄膜ハンドブック(第2版)

(担当:共著)

オーム社 2008年3月 (ISBN: 9784274205194)

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講演・口頭発表等

大電力パルススパッタ法によるスピント型陰極作製における放電ガス(アルゴン、クリプトン)の効果

谷口日向, 大家溪, 中野武雄, 長尾昌善, 大崎壽, 村上勝久

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 2018年10月24日電子情報通信学会

スピント型エミッタは真空電子源のひとつである。この陰極は、上部にホールの開いた微細キャビティを基板上に形成し、ホールを通して陰極材料となる金属をキャビティ内部に堆積させて形成する。従来この堆積には真空蒸着法が用いられていたが、大面積化が困難、高融点金属では引っ張り応力緩和のために基板加熱が必要、などの制約があった。本研究では、粒子の入射方向やエネルギーの制御が可能な大電力パルススパッタ装置を用いた。高融点金属であるMoの陰極を形成できたが、逆に圧縮応力が強くなって膜が剥がれることが多く、デバイスを安定して作製することが困難であった。本研究では放電ガスに Krを用いて内部応力の緩和を試み、Arの場合と比較した。また基板に様々な値の負電圧を印加し、膜に生じる内部応力や陰極構造に与える影響について評価した。
反応性スパッタにおけるモード遷移現象の普遍性と膜物性予測

木村光佑, 磯村航, 大家渓, 中野武雄, 長尾昌善, 大崎壽

表面科学学術講演会要旨集 2016年公益社団法人日本表面科学会

反応性ガスを流入することで金属化合物薄膜を得る反応性スパッタでは、ターゲット蒸発量と反応性ガス流量の均衡が崩れることでターゲット表面状態が遷移する。昨年度は、外部パラメータを変更して遷移点の測定を行うことで、普遍性を見出すことに成功した。今年度は、この普遍性から決定した条件で製膜を行っている。発表では、得られた薄膜の光学特性を評価することで、膜質とモード遷移現象を関連付けて議論する予定である。
非蒸発ゲッタポンプ用合金膜のスパッタ製膜

三嶋東, 桑島理樹, 中野武雄, 大家渓, 間瀬一彦, 菊地貴司

表面科学学術講演会要旨集 2016年公益社団法人日本表面科学会

非蒸発ゲッタポンプはZrやVなどを含む合金を真空中で加熱して表面を活性化し、残留ガスを化学吸着して排気する真空ポンプである。実際にNEGポンプに用いられている合金をターゲットにしてDCスパッタ製膜を行い、製膜条件と膜の構造・組成との関係について調べた。Ar:1～3 Paの範囲では、圧力増加とともに膜のV組成がターゲットに比べて少なくなった。一方基板面内での組成均一性は圧力増加と共に良くなった。
反応性スパッタで製膜したチタン酸化物薄膜の表面特性と細胞接着性

竹内将人, 木村成輝, 福田一貴, 細谷一輝, 大家渓, 岩森暁, 中野武雄

表面科学学術講演会要旨集 2016年公益社団法人日本表面科学会

Tiの酸化皮膜中に含まれるTiO₂は、細胞適合性や血液適合性に優れるため、この存在比率を上げることは新たな生体材料の開発につながる。反応性スパッタにより金属モードと酸化物モードの2種類のモードでTi酸化物薄膜製膜を行った結果、金属モード製膜でのTiO₂の割合は80 %に満たなかったのに対し、酸化物モード製膜ではおよそ94 %となった。現在、これらの薄膜上で細胞培養を行い、その接着性を評価している。
反応性スパッタで作製した酸化タングステン薄膜のエレクトロクロミック特性

飯嶋佑斗, 陳鵬程, 佐野智哉, 大家溪, 中野武雄

表面科学学術講演会要旨集 2016年公益社団法人日本表面科学会

タングステン酸化物はエレクトロクロミック特性を示す材料としてよく知られているが、化学量論的なWO₃組成よりもいくらか酸素の欠乏した状態（WO_3-x）の方がよい着色を示すということがわかっている。本研究では反応性スパッタリングで製膜した酸化タングステン薄膜の、排気速度や酸素濃度などの製膜時の条件が酸素欠乏の程度に与える影響を調べ報告する。