原田 哲男

我々はDNAをチャネルに用いたトランジスタ，DNA/Si-MOSFETを作製した．この素子に軟X線を照射したところ，DNAの放射線損傷に起因すると思われるドレーン電流の減少を初めて確認した．また，DNA薄膜試料を作製して軟X線を照射し，その前後でX線吸収分光測定を行うことで，DNA構造に起きる放射線損傷の解析を試みた．解析により，軟X線照射によるDNA正孔輸送の劣化と塩基の電荷捕獲，塩基構造変化に密接な関係があることを見出した．

我々は過去にDNAを用いたトランジスタに軟X線照射を行うことで，DNA損傷に起因すると思われるドレイン電流値の減少を確認した。本研究では，DNAの放射線損傷メカニズムを検討するこ とを目的とし，全電子収量軟X線吸収分光（TEY-XAS） を用いて一本鎖 DNAの構造変化の解析を試みた。得られたスペクトルから，DNAの塩基部分にピリミジン二量体の形成や，チミンに含まれるメチル基の脱離の可能性が示唆された。