研究者業績
基本情報
- 所属
- 兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所 教授(兼任)大学院 工学研究科 教授
- 学位
- 博士(理学)(東京大学)
- J-GLOBAL ID
- 200901026854817474
- researchmap会員ID
- 1000296310
研究キーワード
4経歴
3-
2004年 - 2010年
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1999年 - 2004年
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1987年 - 1999年
学歴
2-
- 1987年
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- 1985年
論文
218-
Microfluidics and Nanofluidics 30(1) 2025年12月5日
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DIAMOND AND RELATED MATERIALS 159 2025年11月
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Japanese Journal of Applied Physics 64(5) 05SP14-05SP14 2025年5月1日 査読有り最終著者Abstract X-ray lithography was performed using synchrotron radiation to fabricate a nozzle array filter with submicron-order aperture diameters for a mesh nebulizer, as generating mist with a high yield of submicron-sized droplets is essential for delivering medication deep into the lungs. Utilizing polymethylmethacrylate as the resist material, precise control of X-ray exposure with distribution was performed to achieve submicron-order aperture fabrication, using a two-axis lead zirconate titanate stage with nanometer-scale positioning resolution. By precisely controlling the exposure process and development time on a minute scale, we successfully fabricated a nozzle array with submicron-order aperture diameters.
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Diamond and Related Materials 154 112136-112136 2025年4月 査読有り筆頭著者責任著者
MISC
103-
電子情報通信学会技術研究報告(Web) 125(10(SDM2025 1-14)) 2025年
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LASTI Annual Report 25 53 2024年10月
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KUR Progress Report 2023 107 2024年6月 筆頭著者責任著者
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KURNS PROGRESS REPORT 2022 95 2023年7月 筆頭著者
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KURNS PROGRESS REPORT 2021 26 2022年7月 筆頭著者
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Ceramics Japan = セラミックス : bulletin of the Ceramic Society of Japan 50(1) 46-52 2015年1月
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(360) 99-102 2014年12月12日SiO_x中に低温でナノ結晶Si(nc-Si)を形成することは、高効率太陽電池実現にとって重要な技術の一つである。我々はシンクロトロン放射光施設NewSUBARUのBL07Aを利用した軟X線照射による低温結晶化を提案しており、非晶質Si(a-Si)膜において結晶化閥値温度を100℃程度低減できることを明らかにしている。Si2p軌道の内殻準位に近い光子エネルギーの軟X線照射による電子励起・原子移動効果により、SiO_x膜中のa-Siは結晶化した。軟X線照射時の基板温度は660℃である。nc-Siの粒径は、ラマンピークのシフトより16.8nmと見積もられた。軟X線照射により、nc-Siを低温で形成できる可能性があると考えられる。
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(360) 13-16 2014年12月12日我々は10nm程度の極浅接合形成のため、アンジュレータ光源を用いた軟X線照射によるSi中B不純物の低温活性化について検討している。本研究では、B不純物源として極浅接合形成が期待できるBクラスタイオン(B_<10>H_<14>^+)を用いた。軟X線照射した試料のシート抵抗は、低温(〜500℃)にもかかわらず、熱処理よりもシート抵抗の低減が確認され、軟X線照射の効果が確認された。これは、軟X線照射による電子励起・クーロン斥力発生および局所格子振動の合成による原子移動効果により、B_<10>H_<14>^+注入時のSiダメージ層の結晶性回復とB原子のSi格子位置への置換(ノックオン効果)が生じたためと考えられる。また、B_<10>H_<14>^+注入はB^+注入に比べ、低抵抗化が可能であることが示された。
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日本森林学会大会発表データベース 125 385-385 2014年発表者らは、日本に分布する MelanudandsやFulvudandsといった火山灰土にはイオウ（S)化合物が多量に蓄積され、その主要な形態はエステル硫酸態S(酸化型の有機S)であることを明らかにしてきた。しかし、火山灰土が火山灰の2次堆積や大陸からの風成塵が継続的に累積したことにより上方に向かって発達する累積性土壌である点については、考慮してこなかった。そこで土の累積性がエステル硫酸態Sの垂直分布に与える影響について検討するため、日光七本桜テフラ（Nt-S, 14,000-15,000年前形成）の上部に発達したmelanic epipedonに存在するエステル硫酸態Sを、S K-edge XANES spectroscopyと湿式分析を組み合わせることで定量した。また全Sの安定同位体比δ<sup>34</sup>Sの垂直変動も計測した。その結果、エステル硫酸Sの前身である還元型Sを多く含む層がエステル硫酸主体の層の間に縞模様に観察され、下層のδ<sup>34</sup>Sは表層より高いことが明らかになった。これらの結果から、上方への土壌母材の堆積とデトリタスや土壌有機物の分解作用が同時に起こることで縞模様は形成され、分解過程で生成したエステル硫酸態Sの一部は無機の硫酸イオンまでは分解されずに保存されていると推察された。
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(351) 67-72 2013年12月13日10nm程度の極浅接合形成のため、アンジュレータ光源を用いた軟X線照射によるSi中B不純物の低温活性ィヒについて検討した。軟X線照射によるシート抵抗の低減効果は、熱処理と比べて400℃以下の低温領域で顕著になり、アレニウスプロットから見積もった活性化エネルギーは軟X線照射と熱処理でそれぞれ、0.06eV、0.18eVであった。照射光子エネルギーがSi2pのエネルギー準位に近づくと、活性化が促進された。また、活性化率6.2×10^<-3>と低いが、100℃程度の低温処理でも、軟X線の効果により、活性化が促進された。さらに、Cu製冷却ホルダを用いて35℃で軟X線照射した場合、わずかにシート抵抗は減少した。以上のことからSi中のBの活性化は (1)Si2p準位の電子励起によるイオン化、(2)それに伴うクーロン斥力の発生、(3)クーロン斥力発生・格子振動の局所合成によるSi原子の原子移動の促進、(4)Si結品性回復およびSi原子移動によるB原子のノックノン効果によるB原子のSi格子位置への移動のプロセスが考えられる。
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(351) 61-66 2013年12月13日a-Ge, a-SiGe腹の軟X線照射結晶化における照射光子エネルギー依存性を検討した。Ge腹において蓄積リング電流値75mA、照射光子エネルギー100evにて、試料温度が380℃で結晶化が見られたが、130eVでは100eVの条件より試料温度が高い410℃にもかかわらず結晶化が見られなかった。このことから結晶化は温度効果よりも照射光子エネルギーに依存すると考えられる。また、軟X線照射により結晶化したSiGe濃度傾斜多層膜を透過型電子顕微鏡(TEM)により観察した。層界面では結晶格子が連なっており、軟X線照射結晶化では眉間に結晶方位関係を有する結晶成長が実現できることが明らかとなった。
書籍等出版物
4講演・口頭発表等
60-
The 10th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies(EM-NANO2025)
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18th International Conference on New Diamond and Nano Carbon(NDNC2025)
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Workshop on Diamond-like carbon and related films 2025年5月10日 招待有り
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電気情報通信学会・シリコン材料・デバイス研究会（SDM）/有機エレクトロニクス研究会（OME）
共同研究・競争的資金等の研究課題
15-
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(C) 2023年4月 - 2026年3月
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日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(C) 2022年4月 - 2025年3月
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日本学術振興会 科学研究費助成事業 挑戦的研究(萌芽) 2022年6月 - 2024年3月
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公益財団法人 増屋記念基礎研究振興財団 研究助成金 2022年4月 - 2023年3月
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日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B) 2017年4月 - 2020年3月