中村 昇平, 松尾 直人, 部家 彰, 山名 一成, 高田 忠雄, 福山 正隆, 横山 新
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(360) 17-20 2014年12月12日
DNA(チャネル)/SiO_2/Si(ゲート)構造において,DNAのキャリアの振る舞いを調べた.シリコン基板を使って電極間に120nmのギャップを作り,DNAはギャップの間に作製した.dI_D/dV_Dは0.7Vで極値を示ており,この理由はDNA中のトラップとデトラップが関与していると考える.電子はグアニンにトラップされ,チャネル部における電圧によってデトラップが引き起こされる.p^+Siの場合多数キャリアのホールはDNAチャネル中の電子と再結合し,質量作用の法則により,トレイン電極からチャネルに注入される.