研究者業績
基本情報
- 所属
- 兵庫県立大学 大学院 工学研究科 材料・放射光工学専攻 准教授
- 学位
- 材料科学(北陸先端科学技術大学院大学)
- J-GLOBAL ID
- 200901019380365490
- researchmap会員ID
- 5000006324
- 外部リンク
研究分野
5経歴
3-
2008年4月 - 現在
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2005年7月 - 2008年3月
-
2000年4月 - 2005年6月
学歴
2-
- 2000年
-
- 1995年
委員歴
6-
2025年4月 - 現在
-
2017年 - 現在
-
2007年 - 現在
-
2006年 - 現在
-
2020年 - 2023年
論文
149-
Japanese Journal of Applied Physics 2025年3月1日 査読有り
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Interactions between supported lipid bilayers and substrates that affect lateral diffusion of lipidsJapanese Journal of Applied Physics 63(9) 09SP24-09SP24 2024年9月2日 査読有りAbstract Changes in the diffusion coefficient of supported lipid bilayers affected by their interaction with the substrate were evaluated by fluorescence recovery after photobleaching under different surface charges and ambient conditions (presence of divalent ions in solution). The diffusion coefficients of each leaflet were estimated separately by quenching only the leaflet on the far side from the substrate with Co2+ ions. The potential valleys, which are created by the divalent ions between the supported lipid bilayer and the substrate or the positive charges on the substrate surface, act as diffusion barriers, and the diffusion coefficient of the leaflet on the side closer to the substrate decreases. At the same time, the other leaflet far from the substrate also showed a somewhat decrease in diffusion coefficient due to interleaflet coupling.
-
Journal of Photopolymer Science and Technology 37(4) 415-422 2024年6月25日 査読有り招待有り
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IEICE Transactions on Electronics E107.C(3) 76-79 2024年3月1日 査読有り
MISC
87-
電子情報通信学会技術研究報告(Web) 125(10(SDM2025 1-14)) 2025年
書籍等出版物
8講演・口頭発表等
81-
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2014年12月12日SiO_x中に低温でナノ結晶Si(nc-Si)を形成することは、高効率太陽電池実現にとって重要な技術の一つである。我々はシンクロトロン放射光施設NewSUBARUのBL07Aを利用した軟X線照射による低温結晶化を提案しており、非晶質Si(a-Si)膜において結晶化閥値温度を100℃程度低減できることを明らかにしている。Si2p軌道の内殻準位に近い光子エネルギーの軟X線照射による電子励起・原子移動効果により、SiO_x膜中のa-Siは結晶化した。軟X線照射時の基板温度は660℃である。nc-Siの粒径は、ラマンピークのシフトより16.8nmと見積もられた。軟X線照射により、nc-Siを低温で形成できる可能性があると考えられる。
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2014年12月12日入射光により励起された正孔と電子の再結合によるエネルギー欠損の制御は重要な課題である。発電層の側壁をMISダイオードにより囲んだ電界効果型マイクロウォール太陽電池を提案する。シミュレーションにより変換効率はゲート電圧無印加の2.8倍になる。
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2014年12月12日DNA(チャネル)/SiO_2/Si(ゲート)構造において,DNAのキャリアの振る舞いを調べた.シリコン基板を使って電極間に120nmのギャップを作り,DNAはギャップの間に作製した.dI_D/dV_Dは0.7Vで極値を示ており,この理由はDNA中のトラップとデトラップが関与していると考える.電子はグアニンにトラップされ,チャネル部における電圧によってデトラップが引き起こされる.p^+Siの場合多数キャリアのホールはDNAチャネル中の電子と再結合し,質量作用の法則により,トレイン電極からチャネルに注入される.
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2014年12月12日SiO_x中に低温でナノ結晶Si(nc-Si)を形成することは、高効率太陽電池実現にとって重要な技術の一つである。我々はシンクロトロン放射光施設NewSUBARUのBL07Aを利用した軟X線照射による低温結晶化を提案しており、非晶質Si(a-Si)膜において結晶化閥値温度を100℃程度低減できることを明らかにしている。Si2p軌道の内殻準位に近い光子エネルギーの軟X線照射による電子励起・原子移動効果により、SiO_x膜中のa-Siは結晶化した。軟X線照射時の基板温度は660℃である。nc-Siの粒径は、ラマンピークのシフトより16.8nmと見積もられた。軟X線照射により、nc-Siを低温で形成できる可能性があると考えられる。
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2014年12月12日入射光により励起された正孔と電子の再結合によるエネルギー欠損の制御は重要な課題である。発電層の側壁をMISダイオードにより囲んだ電界効果型マイクロウォール太陽電池を提案する。シミュレーションにより変換効率はゲート電圧無印加の2.8倍になる。
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2014年12月12日DNA(チャネル)/SiO_2/Si(ゲート)構造において,DNAのキャリアの振る舞いを調べた.シリコン基板を使って電極間に120nmのギャップを作り,DNAはギャップの間に作製した.dI_D/dV_Dは0.7Vで極値を示ており,この理由はDNA中のトラップとデトラップが関与していると考える.電子はグアニンにトラップされ,チャネル部における電圧によってデトラップが引き起こされる.p^+Siの場合多数キャリアのホールはDNAチャネル中の電子と再結合し,質量作用の法則により,トレイン電極からチャネルに注入される.
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2014年4月10日レーザ照射による多結晶シリコン薄膜はガラス基板上のみならず、ポリマー基板上においても魅力的である。我々はプロセス温度を低下するため、可視レーザ光誘起横方向成長法を提案している。紫外光レーザの前、もしくは後に可視レーザを照射する。可視レーザ光を照射することで固相による結晶成長において重要な役割を果たす結晶粒界のみを選択的に加熱することにより、横方向成長は促進される。
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2014年4月10日レーザ照射による多結晶シリコン薄膜はガラス基板上のみならず、ポリマー基板上においても魅力的である。我々はプロセス温度を低下するため、可視レーザ光誘起横方向成長法を提案している。紫外光レーザの前、もしくは後に可視レーザを照射する。可視レーザ光を照射することで固相による結晶成長において重要な役割を果たす結晶粒界のみを選択的に加熱することにより、横方向成長は促進される。
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2013年12月13日10nm程度の極浅接合形成のため、アンジュレータ光源を用いた軟X線照射によるSi中B不純物の低温活性ィヒについて検討した。軟X線照射によるシート抵抗の低減効果は、熱処理と比べて400℃以下の低温領域で顕著になり、アレニウスプロットから見積もった活性化エネルギーは軟X線照射と熱処理でそれぞれ、0.06eV、0.18eVであった。照射光子エネルギーがSi2pのエネルギー準位に近づくと、活性化が促進された。また、活性化率6.2×10^<-3>と低いが、100℃程度の低温処理でも、軟X線の効果により、活性化が促進された。さらに、Cu製冷却ホルダを用いて35℃で軟X線照射した場合、わずかにシート抵抗は減少した。以上のことからSi中のBの活性化は (1)Si2p準位の電子励起によるイオン化、(2)それに伴うクーロン斥力の発生、(3)クーロン斥力発生・格子振動の局所合成によるSi原子の原子移動の促進、(4)Si結品性回復およびSi原子移動によるB原子のノックノン効果によるB原子のSi格子位置への移動のプロセスが考えられる。
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2013年12月13日a-Ge, a-SiGe腹の軟X線照射結晶化における照射光子エネルギー依存性を検討した。Ge腹において蓄積リング電流値75mA、照射光子エネルギー100evにて、試料温度が380℃で結晶化が見られたが、130eVでは100eVの条件より試料温度が高い410℃にもかかわらず結晶化が見られなかった。このことから結晶化は温度効果よりも照射光子エネルギーに依存すると考えられる。また、軟X線照射により結晶化したSiGe濃度傾斜多層膜を透過型電子顕微鏡(TEM)により観察した。層界面では結晶格子が連なっており、軟X線照射結晶化では眉間に結晶方位関係を有する結晶成長が実現できることが明らかとなった。
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電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2013年12月13日従来の太陽電池の発電層の両端にMOS構造を設置し,電圧を印加する事により光生成キャリアの再結合を抑止できる.本研究ではn/p構造,n/i/p構造の積層方向を受光面に対して平行にした電界効果型太陽電池において,キャリア再結合抑制効果による最適な構造を変換効率から検討する.この結果から,p/n構造における最適な構造は受光幅を500μm,ドープ濃度を1×10^<17>cm^<-3>とする構造であり,膜厚に関してはどの膜厚においてもゲート電圧印加による変換効率の改善効果を得ることができることが明らかとなった.また,p/i/n構造のほうがp/n構造よりも優れたセル特性を示すことが明らかとなった.
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電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 2012年12月7日太陽電池の変換効率を支配する要因の内分けの内、表面又はバルクにおけるキャリア再結合による損失は30%といわれている。我々は、このキャリア再結合による損失を改善するために従来の大量電池の発電層の両端にMOS構造を設置し、電圧を印加する事により太陽光により励起され、生成された電子と正孔を空間的に分離する事により再結合を抑制する事が出来ると考えた。本研究では上記の構造を持った新構造電界効果型太陽電池をコンピュータ上に作製し、その光発電をシミュレーションにより再現する事で発電層両端に設置されたMOS構造に電圧を印加する事により電子と正孔が空間的に分離できることを示し、従来の太陽電池に比べ高い発電効率を得ることが出来ることを示す。
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電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 2012年12月7日我々はSi基板を用いて100nm程度のギャップを持つ電極を作製し,電極間に固定されたDNAに電荷保持特性がある事を報告した.本研究では,DNAチャネル/SiO2/Si(ゲート)構造におけるキャリア挙動について調査し,以下のことが明らかになった.1) dID/dVD 特性が極値を示す事は,DNAにトラップされた電子がチャネル中電界によりデトラップされたことを示唆する.2) デトラップされる電子の数はリフレッシュ電圧の大きさ,又は,印加時間と密接に関係しており,電圧が大きい程,又,印加時間が長い程,デトラップ電子の数は多い.3) DNAのトラップ位置はグアニンの禁制帯内の価電子帯端に近い位置と考えられる.
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電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 2012年4月20日ガラス基板上に蒸着した非晶質Si,Ge,Si_xGe_<1-x>膜へ,NewSUBARU放射光施設の短尺アンジュレータ光源を用いた軟X線を照射して結晶化する新しい方法(軟X線照射法)を開発した。固相下における擬似核形成・粒成長の低温化を確認した.本方法の基本となる素過程は軟X線の光子エネルギーにより非晶質膜を構成する原子の内殻電子を局所的に励起させ,原子間のクーロン斥力により原子を移動させ,擬似結晶核を形成する事である.擬似結晶核の形成に対応して,粒成長の低温化をはかる事ができる.現状においてはSi,Ge,Si_xGe_<1-x>膜において,赤外線加熱による結晶化よりも約100℃低温において結晶化を実現している.
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電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 2012年4月20日ガラス基板上に蒸着した非晶質Si,Ge,Si_xGe_<1-x>膜へ,NewSUBARU放射光施設の短尺アンジュレータ光源を用いた軟X線を照射して結晶化する新しい方法(軟X線照射法)を開発した。固相下における擬似核形成・粒成長の低温化を確認した.本方法の基本となる素過程は軟X線の光子エネルギーにより非晶質膜を構成する原子の内殻電子を局所的に励起させ,原子間のクーロン斥力により原子を移動させ,擬似結晶核を形成する事である.擬似結晶核の形成に対応して,粒成長の低温化をはかる事ができる.現状においてはSi,Ge,Si_xGe_<1-x>膜において,赤外線加熱による結晶化よりも約100℃低温において結晶化を実現している.
所属学協会
5共同研究・競争的資金等の研究課題
24-
日本学術振興会 科学研究費助成事業 2025年4月 - 2028年3月
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日本学術振興会 科学研究費助成事業 2022年4月 - 2026年3月
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日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(C) 2022年4月 - 2025年3月
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姫路市 産学協同研究助成 2024年8月 - 2025年3月
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姫路市 産学協同研究助成 2021年8月 - 2022年3月